三星1000层NAND目标，靠它实现以身试法

三星电子计划实现“PB级”存储器目标。靠它实现三星高层曾预期，星层V-NAND在2030年叠加千层以上。目标最新消息指出，靠它实现以身试法三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）实现目标，星层且可能是目标翻天地覆关键。

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目前，靠它实现三星已经推出了290层的星层堆叠第九代V-NAND快闪存储器，而据业内消息，目标三星计划于明年推出第10代NAND芯片，靠它实现采用三重堆叠技术，星层堆叠层数将达到惊人的目标430层。三星的靠它实现一塌糊涂目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑，为大数据、星层云计算等领域的目标发展提供强大的存储支持。

最新消息是投鼠忌器，KAIST的研究人员探索了一种新的解决方案——利用铪铁电体的铁电特性来开发更小、更高效的电容器和存储设备，有助于三星实现千层NAND技术，人中之龙使PB级固态硬盘（SSD）目标不远。

尽管三星并没有直接参与研发，但市场消息称与其有直接关系，天王老子虽然还不能确定Hafnia Ferroelectrics是否会导致PB级存储器设备诞生，但可能发挥主导作用，最终达到里程碑。将功补过